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      在低壓配電網(wǎng)絡中，運行著大量的感性無功負荷需要進行補償，否則，將使網(wǎng)絡損耗增加，電壓質量惡化。為了提高供用電質量，降低線損和節(jié)能，以及充分利用設備的容量，以自愈式低電壓并聯(lián)電容器為主要元件，接觸器為投切開關的低壓電容無功補償裝置得到廣泛的應用。這些裝置一般是將電容器分為若干組。根據(jù)控制物理量的變化，進行電容器的投切。但是，若無功負荷經(jīng)常波動變化，而裝置又需要將cosΦ控制在較高水平時，電容器的投切，往往就比較頻繁，從而可能給電容器造成危害，使其早期損壞。

      以接觸器為投切開關的低壓電容無功補償裝置，頻繁進行電容器的投切會產(chǎn)生以下危害：

      1、電容器投入時，產(chǎn)生過電壓與過電流
      2、頻繁的過電壓對自愈式并聯(lián)電容器會造成危害，使電容器的絕緣介質老化過程加速，過電壓使電容器自愈性能提前失效，使電容器的局部放電加劇，促進絕緣老化和電容量衰減。
      3、沖擊過電流使自愈式并聯(lián)電容器噴金層和金屬化層的接觸狀況變壞，甚至出現(xiàn)噴金層脫落。使電容器的tgδ增加，提高了運行溫度，縮短使用壽命。

     建議：

      適當延長投切時間間隔，實行循環(huán)投切，減少投切次數(shù)，使這滿足GB/12747-1991的有關要求。
      為限制沖擊電流對噴金層與金屬化層接觸質量的損害，必須采取響應的技術措施，如串入小電感或采用專用接觸器等，建議將沖擊電流的峰值限制在20In以內(nèi)。

      當然，以上的建議只能起到減小損害的作用，治標不治本。根本的解決辦法是采用可控硅開關來替換接觸器投切開關。可控硅開關電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。