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可控硅投切電容器,是利用電子開關(guān)反應速度快的特點。采用過零點觸發(fā)電路,當檢測到施加于可控硅兩端電壓為零時,發(fā)出觸發(fā)信號,可控硅導通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘產(chǎn)生較大涌流的問題。目前市場上較多應用的動態(tài)無功補償裝置,基本上均采用此原理。但是可控硅導通運行時,會產(chǎn)生較大的功耗并轉(zhuǎn)化為熱量。因此目前市場是較多應用的是復合開關(guān)投切電容裝置,其工作原理是先由可控硅在電壓過零時投入電容器,然后再由磁保持繼電器觸點并聯(lián)閉合。可控硅退出,電容器在磁保持繼電器觸點閉合下運行。進而實現(xiàn)投入無涌流,運行不發(fā)熱的特點。GB/T15576-2008中對采用半導體電子開關(guān)及復合開關(guān)電容器的涌流應限制在該組電容器額定電流的5倍以下。以下是復合開關(guān)投入時產(chǎn)生產(chǎn)生的涌流試驗波形。投人時三相涌流圖3與單相涌流的波形圖圖4、數(shù)據(jù)比較如表2。